คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้ Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business Wire) TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส[6] […]
